簡析Intel半導體工藝的優越性
大家都知道，各大半導體廠商生產的CPU在同等價位下的性能相差無幾。不過將CPU的討論提升到半導體的層次上，差距就出來了。在半導體工藝的更新上，INTEL無疑是王者。那么INTEL半導體的工藝對比其他的半導體廠商到底領先在哪里呢？本文就給大家做一個簡單的介紹。
圖一顯示了三巨頭在90nm、65nm、45nm、32nm四種工藝上的發展史，主要是什么時候在什么產品上最先使用。
可以看出，Intel每兩年升級一次制造工藝，幾乎像鐘表一般精確；AMD其實也差不多，但在32nm上有變慢的趨勢，可能是受到了新工藝難度加大和GlobalFoundries拆分的影響；臺積電工藝因為不是專門用于微處理器，所以進程有所不同，從90nm到65nm用了整整三年，但再次到45/40nm只花了15個月(可惜40nm良品率始終不如意)，而且臺積電在每次重大工藝升級中間還有一次半代工藝(half-node)，故而也可以說是速度最快的。
圖二是新技術對比。Intel在90nm上率先引入了漏源極嵌入硅鍺技術(eSiGe)，而AMD和臺積電分別等到65nm和45nm才跟上，不過AMD增加了SOI技術。
Intel又在45nm時代使用了高K金屬柵極(HKMG)，并將在32nm上進化到第二代，而AMD和臺積電分別預計要在32nm和28nm上才會有類似技術。
圖三是摩爾定律執行情況。摩爾定律預計，制造工藝每升級一次，集成電路的尺寸就會縮小70％左右。圖中X軸是半導體工藝世代，Y軸則是最小互連間距，它決定了邏輯柵極的密度以及一顆芯片能夠集成多少晶體管。
很明顯，三大廠商都嚴格遵循了摩爾定律的指揮，而且絲毫沒有減速的樣子。臺積電的尺度做得更小，或許是因為其主要客戶都是圖形處理器和FPGA方面的SoC廠商。
