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主板DDR2內存插槽技術資料及故障診斷

作者:佚名    文章來源:本站原創    點擊數:    更新時間:2013/7/9
    核心提示:DDR2是Double Data Rate 2的簡稱,DDR2是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準。DDR2內存技術標準同樣采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式,但與DDR內存不同的是,DDR2擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力。

DDR2是Double Data Rate 2的簡稱,DDR2是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準。DDR2內存技術標準同樣采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式,但與DDR內存不同的是,DDR2擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力。即DDR2內存每個時代鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
此外,由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式(DDR內存采用ISOP TSOP-II封裝形式),因此可以為內存提供更為良好的電氣性能與散熱性。DDR2內存的工
作頻率主要有DDR2 400、DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800等幾種規格。DDR2內存插槽共有240個針腳,它已經取代了DDR內存,成為目前的主流產品。圖2-7和表2-4所示為DDR2內存插槽和各個引腳的功能。
檢修提示:
內存插槽容易出現接觸不良、燒壞、內存供電電路中的電容,場效應管或穩壓器等損壞后,引起開機報警,用診斷卡檢測顯示C1或D3故障代碼,或內存容量與實際不符,或死機,自動重啟,花屏等故障。
診斷檢修順序:
(l)清潔內存插槽,觀察插槽中有沒有損壞的針,或有沒有燒壞的地方。觀察插槽附近的電容、場效應管或穩壓器等有無鼓包,燒壞等明顯損壞故障。
(2)用橡皮清潔內存金手指。
(3)重新安裝內存條。
(4)測量內存的1.8V和0.9V供電電壓,不正常的話,測量供電電路中的電容,場效應管或穩壓器。    時近的排電阻。
圖2-7主板DDR2內存插槽

(5)比較各數據線或地址線對地阻值,不正常,檢查附近的排電阻。
DDR內存插槽電路如圖2-8所示。
圖2-8 DDR內存插槽電路圖
主板中的DDR2內存插槽共有240個針腳,主要包括地址線、數據線、控制信號線、時鐘信號線、電源線和地線等,各引腳具體功能如下:
(1) DQO-DQ63:數據線。
(2) AO-A16:地址線。
(3) CKO#-CK2#:時鐘信號。
(4) CKO-CK2:時鐘信號。
(5) CKEO和CKEl:系統時鐘信號。
(6)NC:空腳。
(7)VSS:地線。
(8) VDD: 1.8V供電。
(9) VDDQ: 1.8V供電。
(10) CAS#:列選信號。
(11) RAS#:行選信號。
(12) DQSO-DQS17:校驗位。
(13) CBO-CB7:字節允許信號。
(14)WE#:低電平寫信號。
DDR2內存插槽電路圖如圖2-9所示。

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