主板DDR3內(nèi)存插槽技術(shù)資料及故障診斷
DDR3是Double Data Rate 3的簡稱，DDR3是在DDR2的基礎(chǔ)上開發(fā)的內(nèi)存技術(shù)標準。DDR3內(nèi)存技術(shù)標準同樣采用了在時鐘的上升／下降同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑cDDR2內(nèi)存不同的是，DDR3采用8bit預(yù)取設(shè)計，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。DDR3采用點對點的拓撲架構(gòu)，采用lOOnm
以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至I.5V，增加異步重置(Reset)與ZQ校準功能。
DDR3內(nèi)存的工作頻率主要有800、1066、1333、1600等多種規(guī)格。DDR3內(nèi)存插槽共有240個針腳，是目前的主流產(chǎn)品。圖2-10和表2-5所示為DDR3內(nèi)存插槽和各個引腳的功能。
檢修提示：
內(nèi)存插槽容易出現(xiàn)接觸不良、燒壞等故障，內(nèi)存供電電路中的電容、場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等損壞后，引起開機報警，用診斷卡檢測顯示CI或D3故障代碼，或內(nèi)存容量與實際不符、死機、自動重啟、花屏等故障。
診斷檢修順序：
(1)清潔內(nèi)存插槽，觀察插槽中有沒有損壞的針，或有沒有燒壞的地方。觀察插槽附近的電容、場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等有無鼓包、燒壞等明顯損壞故障。
(2)用橡皮清潔內(nèi)存金手指。
(3)重新安裝內(nèi)存條。
(4)測量內(nèi)存的1.5V和0.75V供電電壓，若不正常，則測量供電電路中的電容，場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器。
(5)比較各數(shù)據(jù)線或地址線對地阻值，若不正常，檢查附近的排電阻。
圖2-10主板DDR3內(nèi)存插槽
表2-5 DDR3內(nèi)存各針腳功能（背面圖）
主板中的DDR3內(nèi)存插槽共有240個針腳，
信號線、電源線和地線等，各引針具體功能如下：
(1) DQO-DQ63：數(shù)據(jù)線。
(2) AO-A16:地址線。
(3) CK#O～CK#2：時鐘信號。
(4) CKO～CK2：時鐘信號。(5) CKEO和CKEI：系統(tǒng)時鐘信號。
(6)NC：空腳。
(7) VSS:地線。
(8) VDD: 1.5V供電。
(9) VDDQ：1.5V供電。
(10) CAS#:列選信號。
(11) RAS#:行選信號。
(12) DQSO～DQS17：校驗位。
(13) CBO～CB7：字節(jié)允許信號。
(14) WE#：低電平寫信號。
DDR3內(nèi)存插槽電路如圖2-11所示。
