筆記本DDR3內(nèi)存插槽和各個引腳的功能
作者:紅警維修 文章來源:本站原創(chuàng) 點擊數(shù): 更新時間:2013/8/26
核心提示:DDR3是Double Data Rate 3的簡稱,DDR3是在DDR2的基礎(chǔ)上開發(fā)的內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。DDR3內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)同樣采用了在時鐘的上升/下降同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?
DDR3是Double Data Rate 3的簡稱,DDR3是在DDR2的基礎(chǔ)上開發(fā)的內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。DDR3內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)同樣采用了在時鐘的上升/下降同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑cDDR2內(nèi)存不同的是,DDR3采用8bit預(yù)取設(shè)計,而DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。DDR3采用點對點的拓?fù)浼軜?gòu),采用lOOnm以下的生產(chǎn)工藝,將工作電壓從1.8V降至I.5V,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能。
DDR3內(nèi)存的工作頻率主要有800、1066、1333、1600等多種規(guī)格。DDR3內(nèi)存插槽共有240個針腳,是目前的主流產(chǎn)品。圖2-10和表2-5所示為DDR3內(nèi)存插槽和各個引腳的功能。
檢修提示:
內(nèi)存插槽容易出現(xiàn)接觸不良、燒壞等故障,內(nèi)存供電電路中的電容、場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等損壞后,引起開機報警,用診斷卡檢測顯示CI或D3故障代碼,或內(nèi)存容量與實際不符、死機、自動重啟、花屏等故障。
診斷檢修順序:
(1)清潔內(nèi)存插槽,觀察插槽中有沒有損壞的針,或有沒有燒壞的地方。觀察插槽附近的電容、場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器等有無鼓包、燒壞等明顯損壞故障。
(2)用橡皮清潔內(nèi)存金手指。
(3)重新安裝內(nèi)存條。
(4)測量內(nèi)存的1.5V和0.75V供電電壓,若不正常,則測量供電電路中的電容,場效應(yīng)管或穩(wěn)壓器。
(5)比較各數(shù)據(jù)線或地址線對地阻值,若不正常,檢查附近的排電阻。